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美国存储芯片巨头闪迪大幅上涨27.56%(受益概念股)

2026-1-8 09:41| 发布者: admin| 查看: 16| 评论: 0

摘要: 1月6日,美国存储芯片巨头闪迪大幅上涨27.56%,总市值一举突破500亿美元。韩国存储芯片巨头SK海力士、三星电子股价也持续上涨,延续2025年以来的疯狂势头。 ...
产品涨价、股价暴涨,存储芯片行业上演“疯狂一幕”!

1月6日,美国存储芯片巨头闪迪大幅上涨27.56%,总市值一举突破500亿美元。韩国存储芯片巨头SK海力士、三星电子股价也持续上涨,延续2025年以来的疯狂势头。

在AI基础设施快速发展的背景下,存储芯片的需求进入高景气阶段,科技巨头纷纷囤积存储芯片。在供应紧张的背景下,国际存储芯片巨头屡次涨价,三星电子、SK海力士计划在本季度上调服务器DRAM售价60%-70%。

与此同时,国产存储芯片行业迎来重要进展,上交所已经受理长鑫科技在科创板IPO的申请。

1、存储芯片巨头股价屡创纪录,AI带动行业热潮

谁也没有想到,黄仁勋一席话,让存储芯片巨头股价狂飙。美国当地时间1月5日,英伟达创始人黄仁勋在2026年国际消费电子展(CES)发表主题演讲,正式发布新一代超级计算平台Vera Rubin,从GPU到CPU,从机柜到互联方式,全部优化升级。

Vera CPU为服务器级别的CPU,拥有88核、176线程;Rubin GPU晶体管数量增加60%,但是AI浮点性能五倍于Blackwell GPU,核心在于配备了可以实现自主调度能力的 MVFP4 张量核心。

这将继续消耗大量的存储芯片,因此黄仁勋表示AI对存储的庞大需求将带来存储芯片最大的细分市场,这是一个从未见过的市场。

由此我们可以知道,伴随着英伟达算力芯片大规模出货,DRAM、NAND存储芯片市场都将迎来关键机遇。受此预期的影响,美国存储芯片巨头闪迪一天暴涨超27%,三星电子、SK海力士股价也屡创纪录。

存储器可以分为RAM(随机存取存储器)和ROM(只读存储器)两大类,RAM断电之后将无法保存数据,ROM则可以实现长期存储。

RAM虽然不能在断电时保存数据,但读写速度很快,因此通常被用作操作系统运行的临时存储媒介。系统内存通常使用DRAM(动态随机存取存储器),结构简单、成本较低。

ROM根据制造工艺及功能可以分为五种类型,其中Flash存储器作为可以擦除、可以编程的ROM,具有读写速度快、存储稳定、抗震等优势。闪存又可以分为NOR和NAND两种,NOR Flash主要运用于速度要求不高、容量较小的场景,比如PC的主板BIOS等;NAND Flash写入、擦除速度更快,已经成为主要的大容量非易失存储芯片。

在AIDC大规模建设阶段,存储芯片需求不断提升,这导致存储芯片市场面临供给紧张的局面。

去年四季度,国际存储芯片市场呈现加速上涨的迹象。根据媒体报道,国际存储芯片巨头三星电子、SK海力士酝酿服务器DRAM涨价,涨幅达到60%-70%。

作为HBM芯片市场的龙头企业,SK海力士继续升级技术路线,已经完成了HBM4的开发,并首次搭建了量产体系。HBM4作为第六代HBM产品,将数据传输通道从1024条大幅提升至2048条,能效提升了40%。

三星电子的第五代12层HBM3E此前迎来重大进展,已经通过英伟达资格测试,成为SK海力士、美光之后第三家通过测试的公司。

2、国产存储芯片迎来重要进展

我国作为全球高科技制造业的生产基地,一直需要进口大量的存储芯片,然而存储芯片供应链时常受到各种因素的扰动,因此国产存储发展一直迫在眉睫。

经过多年的发展,国产存储芯片巨头长江存储、长鑫科技等公司逐渐取得突破,并抢占了部分存储市场。

日前长鑫科技IPO取得重要进展,已经完成两轮预先审阅,上交所也已经于2025年12月30日正式受理长鑫科技的IPO申请。长鑫科技计划募集295亿元,其中130亿元用于“DRAM存储器技术升级项目”,90亿元用于“动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目”。

长鑫科技2025年前三季度实现320.84亿元的营收,产品涵盖DDR4、DDR5等产品,是国内第一、全球第四的DRAM厂商。

去年11月,国际半导体博览会(IC China 2025)隆重举行,长鑫科技带来最新DDR5系列产品,深刻诠释了公司本次的“双芯共振,5力全开”展览主题。

所谓的DDR5(Double Data Rate 5)是较为领先的存储技术,可以实现更高传输速率、更大存储容量和更低功耗。

长鑫科技最新DDR5产品最高速率可以达到8000 Mbps,颗粒最高容量达到24Gb,均可以与国际存储巨头产品同台竞技。

依托于先进的技术,长鑫科技推出了七大模组,覆盖了多种场景。在数据中心及企业级服务器方面,长鑫科技推出RDIMM、MRDIMM等模组;个人电脑方面,长鑫科技推出UDIMM和SODIMM。在高算力场景方面,长鑫科技推出CUDIMM等模组。

除了长鑫科技,长江存储也是国产存储芯片的佼佼者。长江存储成立于2016年,公司已经全面布局了芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品等领域。长江存储可以提供3D NAND闪存晶圆及颗粒,产品已经广泛应用于消费电子、服务器等重要领域。

2018年,长江存储发布了核心技术品牌晶栈Xtacking,这标志着国产芯片在3D NAND领域实现重大突破。正是由于长江存储积累了丰富的技术,国际存储巨头也绕不开长江存储的专利。

根据iFinD金融数据终端,存储芯片概念股包括:中芯国际、北方华创、华虹公司、中微公司、生益科技、兆易创新、深南电路、澜起科技、江波龙、西安奕材等。


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